NTB30N20 - описание и поиск аналогов

 

NTB30N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB30N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.081 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB30N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB30N20 даташит

 ..1. Size:78K  onsemi
 ntb30n20.pdf pdf_icon

NTB30N20

NTB30N20 Power MOSFET 30 Amps, 200 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 200 V 68 mW @ VGS = 10 V 30 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-

 8.1. Size:75K  onsemi
 ntb30n06l ntp30n06l ntp30n06l ntb30n06l.pdf pdf_icon

NTB30N20

 8.2. Size:78K  onsemi
 ntb30n06g ntp30n06 ntp30n06 ntb30n06.pdf pdf_icon

NTB30N20

NTP30N06, NTB30N06 Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK Designed for low voltage, high speed switching applications in http //onsemi.com power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 30 AMPERES, 60 VOLTS Features RDS(on) = 42 mW Pb-Free Packages are Available N-Channel D Typical Applications Power Supplies Converters G

Другие IGBT... NTB18N06G, NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4, NTB30N06G, NTB30N06L, RFP50N06, NTB35N15G, NTB4302, NTB45N06G, NTB45N06LG, NTB52N10G, NTB5404NT4G, NTB5405NG, NTB5411NT4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.