NTB35N15G Todos los transistores

 

NTB35N15G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTB35N15G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 70 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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NTB35N15G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
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NTB35N15G

NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD

 6.1. Size:80K  onsemi
 ntb35n15.pdf pdf_icon

NTB35N15G

NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD

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