NTB35N15G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB35N15G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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NTB35N15G datasheet
Otros transistores... NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4, NTB30N06G, NTB30N06L, NTB30N20, SI2302, NTB4302, NTB45N06G, NTB45N06LG, NTB52N10G, NTB5404NT4G, NTB5405NG, NTB5411NT4G, NTB5412NT4G
History: LND10R180
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Liste
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