NTB35N15G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTB35N15G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB35N15G
NTB35N15G Datasheet (PDF)
ntb35n15 ntb35n15g.pdf
NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD
ntb35n15.pdf
NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD
Другие MOSFET... NTB18N06L , NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , 2N60 , NTB4302 , NTB45N06G , NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G .
History: SWJ20N65K
History: SWJ20N65K
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210