NTB35N15G - описание и поиск аналогов

 

NTB35N15G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB35N15G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB35N15G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB35N15G даташит

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntb35n15 ntb35n15g.pdf pdf_icon

NTB35N15G

 6.1. Size:80K  onsemi
 ntb35n15.pdf pdf_icon

NTB35N15G

Другие IGBT... NTB18N06L, NTB23N03R, NTB23N03RG, NTB25P06G, NTB27N06LT4, NTB30N06G, NTB30N06L, NTB30N20, SI2302, NTB4302, NTB45N06G, NTB45N06LG, NTB52N10G, NTB5404NT4G, NTB5405NG, NTB5411NT4G, NTB5412NT4G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.