Справочник MOSFET. NTB35N15G

 

NTB35N15G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB35N15G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB35N15G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB35N15G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  onsemi
 ntb35n15 ntb35n15g.pdf pdf_icon

NTB35N15G

NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD

 6.1. Size:80K  onsemi
 ntb35n15.pdf pdf_icon

NTB35N15G

NTB35N15Power MOSFET37 Amps, 150 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete37 AMPERES, 150 VOLTSFast Recovery Diode50 mW @ VGS = 10 V Avalanche Energy Specified IDSS and RDS(on) Specified at Elevated TemperatureN-Channel Mounting Information Provided for the D2PAK PackageD

Другие MOSFET... NTB18N06L , NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , IRFZ46N , NTB4302 , NTB45N06G , NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G .

History: SWP072R72E7T | SQM120N04-1M7L | IXTT20P50P | 2SK444

 

 
Back to Top

 


 
.