NTB35N15G - описание и поиск аналогов

 

NTB35N15G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB35N15G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB35N15G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB35N15G даташит

 ..1. Size:80K  onsemi
ntb35n15 ntb35n15g.pdfpdf_icon

NTB35N15G

 6.1. Size:80K  onsemi
ntb35n15.pdfpdf_icon

NTB35N15G

Другие MOSFET... NTB18N06L , NTB23N03R , NTB23N03RG , NTB25P06G , NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , SI2302 , NTB4302 , NTB45N06G , NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.