NTB52N10G MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NTB52N10G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB52N10G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 52 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB52N10G datasheet

..1. Size:114K onsemi
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NTB52N10 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 100 V 23 mW @ 10 V 52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-Chan

6.1. Size:118K onsemi
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