NTB52N10G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB52N10G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 178 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 52 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 72 nC
Tiempo de subida (tr): 95 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 620 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB52N10G
NTB52N10G Datasheet (PDF)
ntb52n10g.pdf
NTB52N10Power MOSFET52 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteVDSS RDS(ON) TYP ID MAXFast Recovery Diode Avalanche Energy Specified100 V23 mW @ 10 V52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK PackageN-Chan
ntb52n10.pdf
NTB52N10Power MOSFET52 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteVDSS RDS(ON) TYP ID MAXFast Recovery Diode Avalanche Energy Specified100 V23 mW @ 10 V52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK PackageN-Chan
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