NTB52N10G - описание и поиск аналогов

 

NTB52N10G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB52N10G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB52N10G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB52N10G даташит

 ..1. Size:114K  onsemi
 ntb52n10g.pdf pdf_icon

NTB52N10G

NTB52N10 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 100 V 23 mW @ 10 V 52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-Chan

 6.1. Size:118K  onsemi
 ntb52n10.pdf pdf_icon

NTB52N10G

NTB52N10 Power MOSFET 52 Amps, 100 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK http //onsemi.com Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified 100 V 23 mW @ 10 V 52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK Package N-Chan

Другие MOSFET... NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , NTB35N15G , NTB4302 , NTB45N06G , NTB45N06LG , IRF520 , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G , NTB5426NT4G , NTB5605PG , NTB5860N , NTB5860NL .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.