Справочник MOSFET. NTB52N10G

 

NTB52N10G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTB52N10G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для NTB52N10G

 

 

NTB52N10G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  onsemi
 ntb52n10g.pdf

NTB52N10G NTB52N10G

NTB52N10Power MOSFET52 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteVDSS RDS(ON) TYP ID MAXFast Recovery Diode Avalanche Energy Specified100 V23 mW @ 10 V52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK PackageN-Chan

 6.1. Size:118K  onsemi
 ntb52n10.pdf

NTB52N10G NTB52N10G

NTB52N10Power MOSFET52 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteVDSS RDS(ON) TYP ID MAXFast Recovery Diode Avalanche Energy Specified100 V23 mW @ 10 V52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK PackageN-Chan

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top