NTB52N10G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: NTB52N10G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для NTB52N10G
NTB52N10G Datasheet (PDF)
ntb52n10g.pdf
NTB52N10Power MOSFET52 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteVDSS RDS(ON) TYP ID MAXFast Recovery Diode Avalanche Energy Specified100 V23 mW @ 10 V52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK PackageN-Chan
ntb52n10.pdf
NTB52N10Power MOSFET52 Amps, 100 VoltsN-Channel Enhancement-Mode D2PAKhttp://onsemi.comFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a DiscreteVDSS RDS(ON) TYP ID MAXFast Recovery Diode Avalanche Energy Specified100 V23 mW @ 10 V52 A IDSS and RDS(on) Specified at Elevated Temperature Mounting Information Provided for the D2PAK PackageN-Chan
Другие MOSFET... NTB27N06LT4 , NTB30N06G , NTB30N06L , NTB30N20 , NTB35N15G , NTB4302 , NTB45N06G , NTB45N06LG , CS150N03A8 , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G , NTB5426NT4G , NTB5605PG , NTB5860N , NTB5860NL .
History: HGW100N12S | HAT2193WP
History: HGW100N12S | HAT2193WP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240