NTB5860N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB5860N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 283 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 220 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 117 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1125 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB5860N
NTB5860N Datasheet (PDF)
ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf
NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change
ntb5860nl nvb5860nl.pdf
NTB5860NL, NTP5860NL,NVB5860NLN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested3.0 mW @ 10 V60 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant3.6 mW @ 4.5 V NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site
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