NTB5860N MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NTB5860N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB5860N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 283 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 117 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB5860N datasheet

..1. Size:113K onsemi
ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf pdf_icon

NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N N-Channel Power MOSFET 60 V, 220 A, 3.0 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change

0.1. Size:112K onsemi
ntb5860nl nvb5860nl.pdf pdf_icon

NTB5860NL, NTP5860NL, NVB5860NL N-Channel Power MOSFET 60 V, 220 A, 3.0 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 3.0 mW @ 10 V 60 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant 3.6 mW @ 4.5 V NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

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