NTB5860N - описание и поиск аналогов

 

NTB5860N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB5860N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB5860N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB5860N даташит

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf pdf_icon

NTB5860N

NTB5860N, NTP5860N, NVB5860N N-Channel Power MOSFET 60 V, 220 A, 3.0 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring D Unique Site and Control Change

 0.1. Size:112K  onsemi
 ntb5860nl nvb5860nl.pdf pdf_icon

NTB5860N

NTB5860NL, NTP5860NL, NVB5860NL N-Channel Power MOSFET 60 V, 220 A, 3.0 mW Features http //onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested 3.0 mW @ 10 V 60 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant 3.6 mW @ 4.5 V NVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site

Другие MOSFET... NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G , NTB5426NT4G , NTB5605PG , 75N75 , NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG , NTB6412ANG , NTB6413ANG , NTB65N02R .

History: BUZ102S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.