Справочник MOSFET. NTB5860N

 

NTB5860N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB5860N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 283 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 117 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB5860N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB5860N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 ntb5860n ntp5860n nvb5860n.pdf pdf_icon

NTB5860N

NTB5860N, NTP5860N,NVB5860NN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested60 V 3.0 mW @ 10 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringDUnique Site and Control Change

 0.1. Size:112K  onsemi
 ntb5860nl nvb5860nl.pdf pdf_icon

NTB5860N

NTB5860NL, NTP5860NL,NVB5860NLN-Channel Power MOSFET60 V, 220 A, 3.0 mWFeatureshttp://onsemi.com Low RDS(on) High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested3.0 mW @ 10 V60 V 220 A These Devices are Pb-Free, Halogen Free and are RoHS Compliant3.6 mW @ 4.5 V NVB Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUnique Site

Другие MOSFET... NTB45N06LG , NTB52N10G , NTB5404NT4G , NTB5405NG , NTB5411NT4G , NTB5412NT4G , NTB5426NT4G , NTB5605PG , IRF520 , NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG , NTB6412ANG , NTB6413ANG , NTB65N02R .

History: STD2NK100Z | 2SJ607-ZJ | KDT3055L | RFD4N06LSM | SRC7N65D1 | NTMFS5C430NLT1G | BL10N65A-P

 

 
Back to Top

 


 
.