NTB65N02RT4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTB65N02RT4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 456 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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NTB65N02RT4 datasheet

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NTB65N02RT4

NTB65N02R, NTP65N02R Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK Features http //onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss 24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available* D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwis

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