Справочник MOSFET. NTB65N02RT4

 

NTB65N02RT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTB65N02RT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для NTB65N02RT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB65N02RT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf pdf_icon

NTB65N02RT4

NTB65N02R, NTP65N02RPower MOSFET65 A, 24 V N-ChannelTO-220, D2PAKFeatureshttp://onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available*DMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwis

Другие MOSFET... NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG , NTB6412ANG , NTB6413ANG , NTB65N02R , 60N06 , NTB75N03-006 , NTB75N03L09T4 , NTB75N03R , NTB75N06G , NTB75N06L , NTB85N03 , NTB90N02 , NTBV45N06 .

History: SI4660DY

 

 
Back to Top

 


 
.