NTB65N02RT4 - описание и поиск аналогов

 

NTB65N02RT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTB65N02RT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 456 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для NTB65N02RT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTB65N02RT4 даташит

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntb65n02r ntb65n02rt4 ntb65n02r ntp65n02r ntp65n02r.pdf pdf_icon

NTB65N02RT4

NTB65N02R, NTP65N02R Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK Features http //onsemi.com Planar HD3e Process for Fast Switching Performance Low RDSon to Minimize Conduction Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Ciss to Minimize Driver Loss 24 V 8.4 mW @ 10 V 65 A Low Gate Charge Pb-Free Packages are Available* D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwis

Другие MOSFET... NTB5860NL , NTB60N06G , NTB60N06L , NTB6410ANG , NTB6411ANG , NTB6412ANG , NTB6413ANG , NTB65N02R , IRLB3034 , NTB75N03-006 , NTB75N03L09T4 , NTB75N03R , NTB75N06G , NTB75N06L , NTB85N03 , NTB90N02 , NTBV45N06 .

History: AF2N60S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.