NTB90N02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTB90N02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTB90N02

NTB90N02 Datasheet (PDF)

..1. Size:69K onsemi
ntb90n02 ntb90n02 ntp90n02 ntp90n02.pdf

NTB90N02, NTP90N02Power MOSFET90 Amps, 24 VoltsN-Channel D2PAK and TO-220Designed for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Packages are Available5.0 mW @ 10 V24 V 90 ATypical Applications7.5 mW @ 4.5 V Power Supplies

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