NTB90N02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTB90N02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
NTB90N02 Datasheet (PDF)
..1. Size:69K onsemi
ntb90n02 ntb90n02 ntp90n02 ntp90n02.pdf
ntb90n02 ntb90n02 ntp90n02 ntp90n02.pdf
NTB90N02, NTP90N02Power MOSFET90 Amps, 24 VoltsN-Channel D2PAK and TO-220Designed for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Packages are Available5.0 mW @ 10 V24 V 90 ATypical Applications7.5 mW @ 4.5 V Power Supplies
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
