NTD32N06LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD32N06LG
Código: 32N06L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 93.75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 23 nC
Tiempo de subida (tr): 221 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 343 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD32N06LG
NTD32N06LG Datasheet (PDF)
ntd32n06l ntd32n06l ntd32n06lg.pdf
NTD32N06LPower MOSFET32 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.VDSS RDS(ON) TYP ID MAXFeatures Smaller Package than MTB30N06VL60 V23.7 mW32 A Lower RDS(on), VDS(on), and Total Gate Charge Lower and Tighter
ntd32n06-001 ntd32n06 ntd32n06-d.pdf
NTD32N06Power MOSFET32 Amps, 60 Volts, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Smaller Package than MTB36N06V60 V 26 mW 32 A Lower RDS(on) Lower VDS(on)N-Channel
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
