Справочник MOSFET. NTD32N06LG

 

NTD32N06LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD32N06LG
   Маркировка: 32N06L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
   Время нарастания (tr): 221 ns
   Выходная емкость (Cd): 343 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTD32N06LG

 

 

NTD32N06LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  onsemi
ntd32n06l ntd32n06l ntd32n06lg.pdf

NTD32N06LG
NTD32N06LG

NTD32N06LPower MOSFET32 Amps, 60 VoltsLogic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inhttp://onsemi.compower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.VDSS RDS(ON) TYP ID MAXFeatures Smaller Package than MTB30N06VL60 V23.7 mW32 A Lower RDS(on), VDS(on), and Total Gate Charge Lower and Tighter

 6.1. Size:66K  onsemi
ntd32n06-001 ntd32n06 ntd32n06-d.pdf

NTD32N06LG
NTD32N06LG

NTD32N06Power MOSFET32 Amps, 60 Volts, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.http://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Smaller Package than MTB36N06V60 V 26 mW 32 A Lower RDS(on) Lower VDS(on)N-Channel

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top