NTD50N03R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD50N03R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: DPAK
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NTD50N03R datasheet
ntd50n03r-d ntd50n03r.pdf
NTD50N03R Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Channel, DPAK Features Planar Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Packages are Available 12.5 mW @ 10 V Applications 25 V 45 A 19 mW @ 4.5 V VCORE DC-
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