NTD50N03R Todos los transistores

 

NTD50N03R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD50N03R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NTD50N03R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTD50N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  onsemi
 ntd50n03r-d ntd50n03r.pdf pdf_icon

NTD50N03R

NTD50N03RPower MOSFET25 V, 45 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Planar Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Packages are Available12.5 mW @ 10 VApplications25 V 45 A19 mW @ 4.5 V VCORE DC-

Otros transistores... NTD4904N-1G , NTD4909N-1G , NTD4910N-1G , NTD4960N-1G , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , IRFB31N20D , NTD5406NG , NTD5407NG , NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G .

History: 2SK1152S | 2SK2908-01L | IPZA60R045P7 | WMJ28N65F2 | 30N06L-TF1-T | NCE25P60K | CHM2316GP

 

 
Back to Top

 


 
.