NTD50N03R - описание и поиск аналогов

 

NTD50N03R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD50N03R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD50N03R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD50N03R даташит

 ..1. Size:79K  onsemi
 ntd50n03r-d ntd50n03r.pdf pdf_icon

NTD50N03R

NTD50N03R Power MOSFET 25 V, 45 A, Single N-Channel, DPAK Features Planar Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses http //onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Packages are Available 12.5 mW @ 10 V Applications 25 V 45 A 19 mW @ 4.5 V VCORE DC-

Другие MOSFET... NTD4904N-1G , NTD4909N-1G , NTD4910N-1G , NTD4960N-1G , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , IRF2807 , NTD5406NG , NTD5407NG , NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.