Справочник MOSFET. NTD50N03R

 

NTD50N03R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD50N03R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD50N03R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD50N03R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:79K  onsemi
 ntd50n03r-d ntd50n03r.pdf pdf_icon

NTD50N03R

NTD50N03RPower MOSFET25 V, 45 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Planar Technology Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseshttp://onsemi.com Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching LossesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Pb-Free Packages are Available12.5 mW @ 10 VApplications25 V 45 A19 mW @ 4.5 V VCORE DC-

Другие MOSFET... NTD4904N-1G , NTD4909N-1G , NTD4910N-1G , NTD4960N-1G , NTD4963N-1G , NTD4965N-1G , NTD4969N-1G , NTD4970N-1G , IRFB31N20D , NTD5406NG , NTD5407NG , NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G .

History: CTM07N60 | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | SPP15N60C3 | PTD60N02 | SVF2N65F

 

 
Back to Top

 


 
.