2SJ0672 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ0672
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 850 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
Paquete / Cubierta: SSSMINI3
Búsqueda de reemplazo de 2SJ0672 MOSFET
2SJ0672 Datasheet (PDF)
2sj0672.pdf

Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0672Silicon P-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits0.33+0.05 0.10+0.050.02 0.023 Features Ultra small package switching MOSFETs SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and0.23+0.05 1 20.02automatic insertion through the tape packing. (0.40)(0.40)0.800.051.200.05 Absolute Maximum
Otros transistores... NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G , NTD5807NT4G , NTD5862N-1G , MMIS60R580P , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , HY3208B .
History: BUK963R3-60E | BLP05N08G-P | AO3416
History: BUK963R3-60E | BLP05N08G-P | AO3416



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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