2SJ0672 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SJ0672
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 850 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 30 Ohm
Paquete / Cubierta: SSSMINI3
Búsqueda de reemplazo de 2SJ0672 MOSFET
2SJ0672 Datasheet (PDF)
2sj0672.pdf

Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0672Silicon P-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits0.33+0.05 0.10+0.050.02 0.023 Features Ultra small package switching MOSFETs SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and0.23+0.05 1 20.02automatic insertion through the tape packing. (0.40)(0.40)0.800.051.200.05 Absolute Maximum
Otros transistores... NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G , NTD5807NT4G , NTD5862N-1G , MMIS60R580P , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , HY3208B .
History: AP3990S | APM4317K | HGD080N10AL | STQ3NK50ZR-AP | APT30M30JFLL | 2SJ492 | 2SK818A
History: AP3990S | APM4317K | HGD080N10AL | STQ3NK50ZR-AP | APT30M30JFLL | 2SJ492 | 2SK818A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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