2SJ0672 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SJ0672
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
ton ⓘ - Время включения: 850 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm
Тип корпуса: SSSMINI3
Аналог (замена) для 2SJ0672
2SJ0672 Datasheet (PDF)
2sj0672.pdf

Silicon MOSFETs (Small Signal)2SJ0672Silicon P-channel MOSFETUnit: mmFor switching circuits0.33+0.05 0.10+0.050.02 0.023 Features Ultra small package switching MOSFETs SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and0.23+0.05 1 20.02automatic insertion through the tape packing. (0.40)(0.40)0.800.051.200.05 Absolute Maximum
Другие MOSFET... NTD5413NT4G , NTD5414NT4G , NTD5802NT4G , NTD5804NT4G , NTD5805NT4G , NTD5806NT4G , NTD5807NT4G , NTD5862N-1G , IRF830 , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , HY3208B .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
mj21194 | oc71 transistor | 2n3440 | bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845