2SJ0672 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SJ0672  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 850 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 30 Ohm

Тип корпуса: SSSMINI3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 2SJ0672

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SJ0672 даташит

 ..1. Size:209K  panasonic
 2sj0672.pdf pdf_icon

2SJ0672

Silicon MOSFETs (Small Signal) 2SJ0672 Silicon P-channel MOSFET Unit mm For switching circuits 0.33+0.05 0.10+0.05 0.02 0.02 3 Features Ultra small package switching MOSFETs SSS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and 0.23+0.05 1 2 0.02 automatic insertion through the tape packing. (0.40)(0.40) 0.80 0.05 1.20 0.05 Absolute Maximum

Другие IGBT... NTD5413NT4G, NTD5414NT4G, NTD5802NT4G, NTD5804NT4G, NTD5805NT4G, NTD5806NT4G, NTD5807NT4G, NTD5862N-1G, 7N60, 7N60L-A-TA3, 7N60L-B-TA3, 7N60L-A-TF3, 7N60L-B-TF3, DFP50N06, HY3208P, HY3208M, HY3208B