DFP50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DFP50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220M

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DFP50N06

DFP50N06 Datasheet (PDF)

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dfp50n06.pdf

DFP50N06PbDFP50N06Pb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A

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Liste

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