DFP50N06 Todos los transistores

 

DFP50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DFP50N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220M
 

 Búsqueda de reemplazo de DFP50N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DFP50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  thinkisemi
 dfp50n06.pdf pdf_icon

DFP50N06

DFP50N06PbDFP50N06Pb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A

Otros transistores... NTD5806NT4G , NTD5807NT4G , NTD5862N-1G , 2SJ0672 , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , AON7403 , HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , SP8M3 , SPP80N06S2-09 .

History: HTD1K5N10 | QM3014M6

 

 
Back to Top

 


 
.