DFP50N06 - описание и поиск аналогов

 

DFP50N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DFP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO220M

Аналог (замена) для DFP50N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DFP50N06 даташит

 ..1. Size:1124K  thinkisemi
 dfp50n06.pdf pdf_icon

DFP50N06

DFP50N06 Pb DFP50N06 Pb Free Plating Product 50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET Features 2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 V BVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF) RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche tested ID = 50A

Другие MOSFET... NTD5806NT4G , NTD5807NT4G , NTD5862N-1G , 2SJ0672 , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , IRF9640 , HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , SP8M3 , SPP80N06S2-09 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.