Справочник MOSFET. DFP50N06

 

DFP50N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DFP50N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220M
 

 Аналог (замена) для DFP50N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DFP50N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1124K  thinkisemi
 dfp50n06.pdf pdf_icon

DFP50N06

DFP50N06PbDFP50N06Pb Free Plating Product50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFETFeatures2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 VBVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF)RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche testedID = 50A

Другие MOSFET... NTD5806NT4G , NTD5807NT4G , NTD5862N-1G , 2SJ0672 , 7N60L-A-TA3 , 7N60L-B-TA3 , 7N60L-A-TF3 , 7N60L-B-TF3 , AON7403 , HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , SP8M3 , SPP80N06S2-09 .

History: IXFH36N55Q2 | SI4378DY

 

 
Back to Top

 


 
.