SP8M3 Todos los transistores

 

SP8M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SP8M3 datasheet

 ..1. Size:93K  rohm
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SP8M3

SP8M3 Transistors Switching SP8M3 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 5.0 0.2 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. 0.2 0.1 0.4 0.1 1.27 0.1 Each lead has same dimensions Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Limits (8)

 0.1. Size:1025K  cn vbsemi
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SP8M3

SP8M3-TB www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

Otros transistores... 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , AOD4184A , SPP80N06S2-09 , SPB80N06S2-09 , SST4091 , SST4092 , SST4093 , SVF2N65F , TPHR8504PL , TSF65R300S1 .

History: SIHA22N60AE | SWP70N10V | SPB80N06S2-09 | SE472 | SL9N150T | NTTFS4941N | TPCP8001-H

 

 

 

 

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