Справочник MOSFET. SP8M3

 

SP8M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:93K  rohm
 sp8m3.pdf pdf_icon

SP8M3

SP8M3 Transistors Switching SP8M3 External dimensions (Unit : mm) Features 1) Low on-resistance. SOP82) Built-in G-S Protection Diode. 5.00.23) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. 0.20.10.40.11.270.1Each lead has same dimensions Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25C) Limits (8)

 0.1. Size:1025K  cn vbsemi
 sp8m3-tb.pdf pdf_icon

SP8M3

SP8M3-TBwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SMOS44N50D3

 

 
Back to Top

 


 
.