SP8M3 - описание и поиск аналогов

 

SP8M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SP8M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SP8M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8M3 даташит

 ..1. Size:93K  rohm
 sp8m3.pdf pdf_icon

SP8M3

SP8M3 Transistors Switching SP8M3 External dimensions (Unit mm) Features 1) Low on-resistance. SOP8 2) Built-in G-S Protection Diode. 5.0 0.2 3) Small and Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. 0.2 0.1 0.4 0.1 1.27 0.1 Each lead has same dimensions Equivalent circuit Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Limits (8)

 0.1. Size:1025K  cn vbsemi
 sp8m3-tb.pdf pdf_icon

SP8M3

SP8M3-TB www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VGS

Другие MOSFET... 7N60L-B-TF3 , DFP50N06 , HY3208P , HY3208M , HY3208B , HY3208PS , HY3208PM , PK502BA , AOD4184A , SPP80N06S2-09 , SPB80N06S2-09 , SST4091 , SST4092 , SST4093 , SVF2N65F , TPHR8504PL , TSF65R300S1 .

History: MTE050N15BRH8 | NTMFS4119N | AOD4N60 | SL9N150T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.