NTD60N03-001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD60N03-001
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 28 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD60N03-001
NTD60N03-001 Datasheet (PDF)
ntd60n03-001.pdf
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ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdf
NTD60N02RPower MOSFET62 A, 25 V, N-Channel, DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free
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