NTD60N03-001 Todos los transistores

 

NTD60N03-001 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD60N03-001

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 28 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTD60N03-001 datasheet

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NTD60N03-001

NTD60N03 Power MOSFET 60 Amps, 28 Volts N-Channel DPAK Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge http //onsemi.com circuits. V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Typical Applications 28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies Converters N-Channel Power Motor Controls D Bridge Circuits MAXIMUM RATING

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NTD60N03-001

NTD60N02R Power MOSFET 62 A, 25 V, N-Channel, DPAK Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance http //onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver Loss V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge 25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements in High-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free

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History: WMQ30N02T1 | FDMQ8203 | STM8020 | IRLML2502PBF-1 | CS12N60FA9R | 2SK1521

 

 

 

 

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