NTD60N03-001 Todos los transistores

 

NTD60N03-001 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD60N03-001
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD60N03-001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  onsemi
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NTD60N03-001

NTD60N03Power MOSFET60 Amps, 28 VoltsN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies ConvertersN-Channel Power Motor ControlsD Bridge CircuitsMAXIMUM RATING

 7.1. Size:79K  onsemi
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NTD60N03-001

NTD60N02RPower MOSFET62 A, 25 V, N-Channel, DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free

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History: FTK1013 | SI3139KL3 | IXTF02N450 | S65N07M | DH4N150F | SI2301ADS-T1 | BSZ0904NSI

 

 
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