Справочник MOSFET. NTD60N03-001

 

NTD60N03-001 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD60N03-001
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD60N03-001

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD60N03-001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  onsemi
 ntd60n03-001.pdf pdf_icon

NTD60N03-001

NTD60N03Power MOSFET60 Amps, 28 VoltsN-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgehttp://onsemi.comcircuits.V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXTypical Applications28 V 6.1 mW 60 A Power Supplies ConvertersN-Channel Power Motor ControlsD Bridge CircuitsMAXIMUM RATING

 7.1. Size:79K  onsemi
 ntd60n02r-035 ntd60n02r ntd60n02r.pdf pdf_icon

NTD60N03-001

NTD60N02RPower MOSFET62 A, 25 V, N-Channel, DPAKFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching Performancehttp://onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss Low Ciss to Minimize Driver LossV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Low Gate Charge25 V 8.4 mW @ 10 V 62 A Optimized for High Side Switching Requirements inHigh-Efficiency DC-DC Converters Pb-Free

Другие MOSFET... TSF65R300S1 , UFZ24NL-TA3 , UFZ24NL-TM3 , UFZ24NL-TN3 , NTD5865N-1G , NTD5867NL-1G , NTD60N02R , NTD60N02R-035 , IRFP460 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 .

History: OSG80R380KF | CTD06N017 | NVMFS5C646NL | RU1HP55R | LPSC2301 | SL2P03F

 

 
Back to Top

 


 
.