NTD65N03R-1G Todos los transistores

 

NTD65N03R-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD65N03R-1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 555 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

NTD65N03R-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntd65n03r-035 ntd65n03r-1g ntd65n03r ntd65n03r-d.pdf pdf_icon

NTD65N03R-1G

NTD65N03RPower MOSFET25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Ultra Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low Reverse Recovery Charge Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications6.5 mW @ 10 V25 V 65 A Desktop CPU Power9.7 mW @ 4.5 V DC-DC Converters High and Low Side SwitchN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ

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History: WMO25P06T1 | CTM09N20 | DMP2200UDW | AOI418 | AOW11N60 | SST176 | SM4435

 

 
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