Справочник MOSFET. NTD65N03R-1G

 

NTD65N03R-1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD65N03R-1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 555 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD65N03R-1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD65N03R-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  onsemi
 ntd65n03r-035 ntd65n03r-1g ntd65n03r ntd65n03r-d.pdf pdf_icon

NTD65N03R-1G

NTD65N03RPower MOSFET25 V, 65 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Ultra Low Gate Chargehttp://onsemi.com Low Reverse Recovery Charge Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications6.5 mW @ 10 V25 V 65 A Desktop CPU Power9.7 mW @ 4.5 V DC-DC Converters High and Low Side SwitchN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ

Другие MOSFET... NTD60N02R , NTD60N02R-035 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , IRF3710 , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G .

History: IRF6619 | DMG6301UDW | RJK5026DPE | TPC8301 | 3N70L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.