NTD6600N Todos los transistores

 

NTD6600N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD6600N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD6600N datasheet

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NTD6600N

NTD6600N Power MOSFET 100 V, 12 A, N-Channel, Logic Level DPAK Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a http //onsemi.com Discrete Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level 100 V 118 mW @ 5.0 V 12 A Pb-Free Packages are Available Typical Applications N-Channel PWM Motor Controls D Power Su

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History: 2SK3042 | NCEP40T17AD | SDF07N50T | FQP4N25 | IXTY08N50D2 | IXTY18P10T

 

 
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