NTD6600N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD6600N
   Código: NT6600
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD6600N

NTD6600N Datasheet (PDF)

..1. Size:64K onsemi
ntd6600n-d ntd6600n.pdf

NTD6600NPower MOSFET100 V, 12 A, N-Channel,Logic Level DPAKFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a http://onsemi.comDiscrete Fast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level100 V 118 mW @ 5.0 V 12 A Pb-Free Packages are AvailableTypical ApplicationsN-Channel PWM Motor ControlsD Power Su

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: