NTD6600N Todos los transistores

 

NTD6600N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD6600N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD6600N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  onsemi
 ntd6600n-d ntd6600n.pdf pdf_icon

NTD6600N

NTD6600NPower MOSFET100 V, 12 A, N-Channel,Logic Level DPAKFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a http://onsemi.comDiscrete Fast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level100 V 118 mW @ 5.0 V 12 A Pb-Free Packages are AvailableTypical ApplicationsN-Channel PWM Motor ControlsD Power Su

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History: DH045N06B | VBE2610N | 2SK1324

 

 
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