NTD6600N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD6600N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 116 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTD6600N datasheet

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NTD6600N

NTD6600N Power MOSFET 100 V, 12 A, N-Channel, Logic Level DPAK Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a http //onsemi.com Discrete Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level 100 V 118 mW @ 5.0 V 12 A Pb-Free Packages are Available Typical Applications N-Channel PWM Motor Controls D Power Su

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