NTD6600N - описание и поиск аналогов

 

NTD6600N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD6600N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD6600N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD6600N даташит

 ..1. Size:64K  onsemi
 ntd6600n-d ntd6600n.pdf pdf_icon

NTD6600N

NTD6600N Power MOSFET 100 V, 12 A, N-Channel, Logic Level DPAK Features Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a http //onsemi.com Discrete Fast Recovery Diode Avalanche Energy Specified V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level 100 V 118 mW @ 5.0 V 12 A Pb-Free Packages are Available Typical Applications N-Channel PWM Motor Controls D Power Su

Другие MOSFET... NTD60N02R-035 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , IRFB4227 , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.