Справочник MOSFET. NTD6600N

 

NTD6600N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD6600N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD6600N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD6600N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  onsemi
 ntd6600n-d ntd6600n.pdf pdf_icon

NTD6600N

NTD6600NPower MOSFET100 V, 12 A, N-Channel,Logic Level DPAKFeatures Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a http://onsemi.comDiscrete Fast Recovery Diode Avalanche Energy SpecifiedV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Logic Level100 V 118 mW @ 5.0 V 12 A Pb-Free Packages are AvailableTypical ApplicationsN-Channel PWM Motor ControlsD Power Su

Другие MOSFET... NTD60N02R-035 , NTD60N03-001 , NTD6414AN-1G , NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , AON6414A , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , NTD78N03 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 .

History: SQ1912EEH | 12N65KG-TQ2-T | DMN53D0L | AP3C010H | 2SK529 | MMBFJ108

 

 
Back to Top

 


 
.