NTD78N03 Todos los transistores

 

NTD78N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD78N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTD78N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  onsemi
 ntd78n03.pdf pdf_icon

NTD78N03

NTD78N03Power MOSFET25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Optimized Gate Chargehttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications4.6 @ 10 V25 V 78 A Desktop VCORE6.5 @ 4.5 V DC-DC Converters Low Side SwitchDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitN-

 0.1. Size:209K  onsemi
 ntd78n03r-d.pdf pdf_icon

NTD78N03

NTD78N03RPower MOSFET25 V, 85 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX VCORE Applications5.0 @ 11.5 V25 V 85 A DC-DC Converters7.5 @ 4.5 V Optimized for Low Side SwitchingD

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