NTD78N03 Todos los transistores

 

NTD78N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD78N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de NTD78N03 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTD78N03 datasheet

 ..1. Size:81K  onsemi
 ntd78n03.pdf pdf_icon

NTD78N03

NTD78N03 Power MOSFET 25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) Optimized Gate Charge http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Applications 4.6 @ 10 V 25 V 78 A Desktop VCORE 6.5 @ 4.5 V DC-DC Converters Low Side Switch D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit N-

 0.1. Size:209K  onsemi
 ntd78n03r-d.pdf pdf_icon

NTD78N03

NTD78N03R Power MOSFET 25 V, 85 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available Applications V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX VCORE Applications 5.0 @ 11.5 V 25 V 85 A DC-DC Converters 7.5 @ 4.5 V Optimized for Low Side Switching D

Otros transistores... NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , AON6414A , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G .

History: SP632S | TPCS8204 | TPCS8105 | FDS8638 | TPCS8102 | TPCS8101 | FDS86252

 

 

 

 

↑ Back to Top
.