NTD78N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTD78N03
Código: 78N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 78 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 25.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTD78N03
NTD78N03 Datasheet (PDF)
ntd78n03.pdf
NTD78N03Power MOSFET25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Optimized Gate Chargehttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications4.6 @ 10 V25 V 78 A Desktop VCORE6.5 @ 4.5 V DC-DC Converters Low Side SwitchDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitN-
ntd78n03r-d.pdf
NTD78N03RPower MOSFET25 V, 85 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX VCORE Applications5.0 @ 11.5 V25 V 85 A DC-DC Converters7.5 @ 4.5 V Optimized for Low Side SwitchingD
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F