Справочник MOSFET. NTD78N03

 

NTD78N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NTD78N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTD78N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD78N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  onsemi
 ntd78n03.pdf pdf_icon

NTD78N03

NTD78N03Power MOSFET25 V, 78 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) Optimized Gate Chargehttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAXApplications4.6 @ 10 V25 V 78 A Desktop VCORE6.5 @ 4.5 V DC-DC Converters Low Side SwitchDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitN-

 0.1. Size:209K  onsemi
 ntd78n03r-d.pdf pdf_icon

NTD78N03

NTD78N03RPower MOSFET25 V, 85 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losseshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are AvailableApplicationsV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX VCORE Applications5.0 @ 11.5 V25 V 85 A DC-DC Converters7.5 @ 4.5 V Optimized for Low Side SwitchingD

Другие MOSFET... NTD6415AN-1G , NTD6416AN-1G , NTD65N03R , NTD65N03R-035 , NTD65N03R-1G , NTD6600N , NTD70N03R-001 , NTD70N03RG , IRFB4110 , NTD80N02 , NTD80N02-001 , NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G .

History: BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3 | TPC60R150C

 

 
Back to Top

 


 
.