NTD85N02R Todos los transistores

 

NTD85N02R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD85N02R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 871 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTD85N02R datasheet

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NTD85N02R

NTD85N02R Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK Features http //onsemi.com Pb-Free Packages are Available Planar HD3e Process for Fast Switching Performance VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss 24 V 4.8 mW 85 A Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate Charge N-Channel D MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C Unless otherwise specified

 ..2. Size:76K  onsemi
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NTD85N02R

NTD85N02R Power MOSFET 24 Volts, 85 Amps Single N-Channel, DPAK/IPAK http //onsemi.com Features Planar HD3e Process for Fast Switching Performance V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses 24 V 5.2 mW @ 10 V 85 A Low Gate Charge to Minimize Switching Losses Pb-Free Packages are Available N-Ch

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