Справочник MOSFET. NTD85N02R

 

NTD85N02R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTD85N02R
   Маркировка: 85N02R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 871 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTD85N02R

 

 

NTD85N02R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
 ntd85n02r.pdf

NTD85N02R NTD85N02R

NTD85N02RPower MOSFET85 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available Planar HD3e Process for Fast Switching Performance VDSS RDS(ON) TYP ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V4.8 mW85 A Low Ciss to Minimize Driver Loss Low Gate ChargeN-ChannelDMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C Unless otherwise specified

 ..2. Size:76K  onsemi
 ntd85n02r-001 ntd85n02r-1g ntd85n02r ntd85n02rt4 ntd85n02r-d.pdf

NTD85N02R NTD85N02R

NTD85N02RPower MOSFET24 Volts, 85 AmpsSingle N-Channel,DPAK/IPAKhttp://onsemi.comFeatures Planar HD3e Process for Fast Switching PerformanceV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses24 V 5.2 mW @ 10 V 85 A Low Gate Charge to Minimize Switching Losses Pb-Free Packages are AvailableN-Ch

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top