NTD95N02R-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTD95N02R-1G
   Código: T95N02R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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NTD95N02R-1G Datasheet (PDF)

..1. Size:66K onsemi
ntd95n02r-1g ntd95n02r ntd95n02rt4 ntd95n02r-d.pdf

NTD95N02RPower MOSFET95 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com High Power and Current Handling CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX* Fast Switching Performance4.5 mW @ 10 V Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V 95 A5.9 mW @ 4.5 V Low Gate Charge to Minimize Switching Losses*ID MAX in the product summary table is continuous Pb-Fr

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