NTD95N02R-1G Todos los transistores

 

NTD95N02R-1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTD95N02R-1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de NTD95N02R-1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NTD95N02R-1G datasheet

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntd95n02r-1g ntd95n02r ntd95n02rt4 ntd95n02r-d.pdf pdf_icon

NTD95N02R-1G

NTD95N02R Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK Features http //onsemi.com High Power and Current Handling Capability V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX* Fast Switching Performance 4.5 mW @ 10 V Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss 24 V 95 A 5.9 mW @ 4.5 V Low Gate Charge to Minimize Switching Losses *ID MAX in the product summary table is continuous Pb-Fr

Otros transistores... NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G , NTD85N02RT4 , NTD95N02R , STP75NF75 , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , NTDV3055L104 , NTDV5804N , NTF2955PT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.