NTD95N02R-1G Todos los transistores

 

NTD95N02R-1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTD95N02R-1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1020 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NTD95N02R-1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NTD95N02R-1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntd95n02r-1g ntd95n02r ntd95n02rt4 ntd95n02r-d.pdf pdf_icon

NTD95N02R-1G

NTD95N02RPower MOSFET95 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com High Power and Current Handling CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX* Fast Switching Performance4.5 mW @ 10 V Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V 95 A5.9 mW @ 4.5 V Low Gate Charge to Minimize Switching Losses*ID MAX in the product summary table is continuous Pb-Fr

Otros transistores... NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G , NTD85N02RT4 , NTD95N02R , 12N60 , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , NTDV3055L104 , NTDV5804N , NTF2955PT1G .

History: BSL207SP | LSB55R050GT | S85N042RP | HM10P10D | FDU6688 | UPA1950

 

 
Back to Top

 


 
.