NTD95N02R-1G - описание и поиск аналогов

 

NTD95N02R-1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTD95N02R-1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1020 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTD95N02R-1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTD95N02R-1G даташит

 ..1. Size:66K  onsemi
 ntd95n02r-1g ntd95n02r ntd95n02rt4 ntd95n02r-d.pdf pdf_icon

NTD95N02R-1G

NTD95N02R Power MOSFET 95 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK Features http //onsemi.com High Power and Current Handling Capability V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX* Fast Switching Performance 4.5 mW @ 10 V Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss 24 V 95 A 5.9 mW @ 4.5 V Low Gate Charge to Minimize Switching Losses *ID MAX in the product summary table is continuous Pb-Fr

Другие MOSFET... NTD80N02-1G , NTD80N02G , NTD80N02T4 , NTD85N02R , NTD85N02R-001 , NTD85N02R-1G , NTD85N02RT4 , NTD95N02R , STP75NF75 , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , NTDV3055L104 , NTDV5804N , NTF2955PT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.