NTD95N02R-1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NTD95N02R-1G
Маркировка: T95N02R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 86 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 24 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 82 ns
Выходная емкость (Cd): 1020 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для NTD95N02R-1G
NTD95N02R-1G Datasheet (PDF)
ntd95n02r-1g ntd95n02r ntd95n02rt4 ntd95n02r-d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
NTD95N02RPower MOSFET95 Amps, 24 VoltsN-Channel DPAKFeatureshttp://onsemi.com High Power and Current Handling CapabilityV(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX* Fast Switching Performance4.5 mW @ 10 V Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss24 V 95 A5.9 mW @ 4.5 V Low Gate Charge to Minimize Switching Losses*ID MAX in the product summary table is continuous Pb-Fr
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .