NTDV5804N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTDV5804N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: DPAK

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NTDV5804N datasheet

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NTDV5804N

NTD5804N, NTDV5804N, SVD5804N Power MOSFET 40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Avalanche Energy Specified NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V 40 V 69 A Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 7.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and

Otros transistores... NTD95N02R, NTD95N02R-1G, NTD95N02RT4, NTDV18N06LT4G, NTDV20N06, NTDV20N06L, NTDV20P06L, NTDV3055L104, 13N50, NTF2955PT1G, NTF2955T1G, NTF3055-100T1, NTF3055-160T1, NTF3055-160T3LF, NTF3055L108T1G, NTF3055L175T1G, NTF5P03