NTDV5804N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTDV5804N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de NTDV5804N MOSFET
NTDV5804N PDF Specs
ntdv5804n.pdf
NTD5804N, NTDV5804N, SVD5804N Power MOSFET 40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Avalanche Energy Specified NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V 40 V 69 A Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 7.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and... See More ⇒
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History: R8008ANJ
History: R8008ANJ
Liste
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