NTDV5804N Todos los transistores

 

NTDV5804N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTDV5804N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 71 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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NTDV5804N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  onsemi
 ntdv5804n.pdf pdf_icon

NTDV5804N

NTD5804N, NTDV5804N,SVD5804NPower MOSFET40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Avalanche Energy Specified NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V40 V69 ARequiring Unique Site and Control Change Requirements;7.5 mW @ 10 VAEC-Q101 Qualified and

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History: NCE5520Q | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | CHM9436AJGP | 2N6917 | STP110N55F6

 

 
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