Справочник MOSFET. NTDV5804N

 

NTDV5804N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTDV5804N
   Маркировка: 5804N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NTDV5804N

 

 

NTDV5804N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:70K  onsemi
 ntdv5804n.pdf

NTDV5804N NTDV5804N

NTD5804N, NTDV5804N,SVD5804NPower MOSFET40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAKFeatures Low RDS(on)www.onsemi.com High Current CapabilityV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Avalanche Energy Specified NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V40 V69 ARequiring Unique Site and Control Change Requirements;7.5 mW @ 10 VAEC-Q101 Qualified and

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MPVA7N65F | NDP5060L

 

 
Back to Top