Справочник MOSFET. NTDV5804N

 

NTDV5804N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NTDV5804N

Маркировка: 5804N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 69 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 45 nC

Время нарастания (tr): 18.7 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для NTDV5804N

 

 

NTDV5804N Datasheet (PDF)

1.1. ntdv5804n.pdf Size:70K _update-mosfet

NTDV5804N
NTDV5804N

NTD5804N, NTDV5804N, SVD5804N Power MOSFET 40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAK Features • Low RDS(on) www.onsemi.com • High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX • Avalanche Energy Specified • NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V 40 V 69 A Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 7.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top

 


NTDV5804N
  NTDV5804N
  NTDV5804N
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: WFD5N65L | W15NK90Z | VN1206N5 | TK13A60W | SUP70060E | STP140N6F7 | STH140N6F7 | STD140N6F7 | SIHG47N60AEF | R6018JNX | PSMN3R7-100BSE | P75NF75 | NVD4C05NT4G | NTHL040N65S3F | MTD300N20J3 |
 

 

 

 

 
Back to Top