NTDV5804N - описание и поиск аналогов

 

NTDV5804N - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NTDV5804N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NTDV5804N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTDV5804N технические параметры

 ..1. Size:70K  onsemi
 ntdv5804n.pdf pdf_icon

NTDV5804N

NTD5804N, NTDV5804N, SVD5804N Power MOSFET 40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Avalanche Energy Specified NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V 40 V 69 A Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 7.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and

Другие MOSFET... NTD95N02R , NTD95N02R-1G , NTD95N02RT4 , NTDV18N06LT4G , NTDV20N06 , NTDV20N06L , NTDV20P06L , NTDV3055L104 , IRFP260 , NTF2955PT1G , NTF2955T1G , NTF3055-100T1 , NTF3055-160T1 , NTF3055-160T3LF , NTF3055L108T1G , NTF3055L175T1G , NTF5P03 .

 

 
Back to Top

 


 
.