NTDV5804N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTDV5804N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTDV5804N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTDV5804N даташит

 ..1. Size:70K  onsemi
 ntdv5804n.pdf pdf_icon

NTDV5804N

NTD5804N, NTDV5804N, SVD5804N Power MOSFET 40 V, 69 A, Single N-Channel, DPAK Features Low RDS(on) www.onsemi.com High Current Capability V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX Avalanche Energy Specified NTDV and SVD Prefix for Automotive and Other Applications 12 mW @ 5.0 V 40 V 69 A Requiring Unique Site and Control Change Requirements; 7.5 mW @ 10 V AEC-Q101 Qualified and

Другие IGBT... NTD95N02R, NTD95N02R-1G, NTD95N02RT4, NTDV18N06LT4G, NTDV20N06, NTDV20N06L, NTDV20P06L, NTDV3055L104, 13N50, NTF2955PT1G, NTF2955T1G, NTF3055-100T1, NTF3055-160T1, NTF3055-160T3LF, NTF3055L108T1G, NTF3055L175T1G, NTF5P03