NTGD3147FT1G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTGD3147FT1G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.145 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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NTGD3147FT1G datasheet

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NTGD3147FT1G

NTGD3147F Power MOSFET and Schottky Diode -20 V, -2.5 A, P-Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP-6 Features http //onsemi.com Fast Switching P-CHANNEL MOSFET Low Gate Change V(BR)DSS RDS(on) Max ID Max Low RDS(on) 145 mW @ -4.5 V -2.2 A Low VF Schottky Diode -20 V Independently Connected Devices to Provide Design Flexibility 200 mW @ -2.5 V -1.6 A

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NTGD3147FT1G

NTGD3149C Power MOSFET Complementary, 20 V, +3.5/-2.7 A, TSOP-6 Dual Features Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET http //onsemi.com Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Reduced Gate Charge to Improve Switching Response 60 mW @ 4.5 V N-Ch Independently Connecte

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NTGD3147FT1G

NTGD3148N Power MOSFET 20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6 Features Low Threshold Levels, VGS(th)

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NTGD3147FT1G

NTGD3148NT1G www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6.0 20 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6

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