Справочник MOSFET. NTGD3147FT1G

 

NTGD3147FT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTGD3147FT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.145 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для NTGD3147FT1G

 

 

NTGD3147FT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  onsemi
 ntgd3147f ntgd3147ft1g.pdf

NTGD3147FT1G NTGD3147FT1G

NTGD3147FPower MOSFET andSchottky Diode-20 V, -2.5 A, P-Channel with SchottkyBarrier Diode, TSOP-6Featureshttp://onsemi.com Fast Switching P-CHANNEL MOSFET Low Gate ChangeV(BR)DSS RDS(on) MaxID Max Low RDS(on)145 mW @ -4.5 V -2.2 A Low VF Schottky Diode-20 V Independently Connected Devices to Provide Design Flexibility200 mW @ -2.5 V -1.6 A

 7.1. Size:120K  onsemi
 ntgd3149c.pdf

NTGD3147FT1G NTGD3147FT1G

NTGD3149CPower MOSFETComplementary, 20 V, +3.5/-2.7 A,TSOP-6 DualFeatures Complementary N-Channel and P-Channel MOSFEThttp://onsemi.com Small Size (3 x 3 mm) Dual TSOP-6 Package Leading Edge Trench Technology for Low On ResistanceV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX (Note 1) Reduced Gate Charge to Improve Switching Response60 mW @ 4.5 VN-Ch Independently Connecte

 7.2. Size:76K  onsemi
 ntgd3148n-d ntgd3148nt1g.pdf

NTGD3147FT1G NTGD3147FT1G

NTGD3148NPower MOSFET20 V, 3.5 A, Dual N-Channel, TSOP-6Features Low Threshold Levels, VGS(th)

 7.3. Size:1766K  cn vbsemi
 ntgd3148nt1g.pdf

NTGD3147FT1G NTGD3147FT1G

NTGD3148NT1Gwww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top