BUK637-500B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK637-500B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de BUK637-500B MOSFET
BUK637-500B Datasheet (PDF)
buk637-500b.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500BFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM
Otros transistores... 2SK2753 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , RFP50N06 , CSD30N30 , FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN .
History: PZP003BYB | HFS5N70S | NTF3055L175T1G | FX20KMJ-3 | STP9527 | JMSH1018PP | TK11Q65W
History: PZP003BYB | HFS5N70S | NTF3055L175T1G | FX20KMJ-3 | STP9527 | JMSH1018PP | TK11Q65W



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013