Справочник MOSFET. BUK637-500B

 

BUK637-500B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK637-500B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для BUK637-500B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK637-500B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  inchange semiconductor
 buk637-500b.pdf pdf_icon

BUK637-500B

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUK637-500BFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

 7.1. Size:208K  philips
 buk637-400b.pdf pdf_icon

BUK637-500B

Другие MOSFET... 2SK2753 , 2SK3262 , 2SK428 , 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , P0903BDG , CSD30N30 , FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN .

History: STB100NF04T4 | AP2309GN | 15N12

 

 
Back to Top

 


 
.