FCP067N65S3 Todos los transistores

 

FCP067N65S3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCP067N65S3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FCP067N65S3 Datasheet (PDF)

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FCP067N65S3

FCP067N65S3Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 44 A, 67 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to

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FCP067N65S3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FCP067N65S3FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesUPSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Otros transistores... 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , 10N65 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF , IPA032N06N3 .

History: LSE65R280HT | SPP80N06S2-05 | FTK55P30D | MTP3055AFI | SWD80N04V | EY4409 | OSG60R1K2DF

 

 
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