FCP067N65S3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FCP067N65S3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.067 Ohm
Encapsulados: TO220
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FCP067N65S3 datasheet
fcp067n65s3.pdf
FCP067N65S3 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to
fcp067n65s3.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCP067N65S3 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages UPS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
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History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
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