Справочник MOSFET. FCP067N65S3

 

FCP067N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCP067N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FCP067N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP067N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  onsemi
 fcp067n65s3.pdf pdf_icon

FCP067N65S3

FCP067N65S3Power MOSFET, N-Channel,SUPERFET) III, Easy Drive,650 V, 44 A, 67 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargeVDSS RDS(ON) MAX ID MAXbalance technology for outstanding low on-resistance and lower gatecharge performance. This advanced technology is tailored to

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 fcp067n65s3.pdf pdf_icon

FCP067N65S3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FCP067N65S3FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesUPSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие MOSFET... 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , 13N50 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF , IPA032N06N3 .

History: 18N50MF | BLP02N06-Q | 2SK3274L | ZXMN3A02N8 | BLS6G2731-6G | SIHFP048R | INK0003AM1

 

 
Back to Top

 


 
.