FCP067N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCP067N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCP067N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.067 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FCP067N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCP067N65S3 даташит

 ..1. Size:355K  onsemi
 fcp067n65s3.pdf pdf_icon

FCP067N65S3

FCP067N65S3 Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET) III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge VDSS RDS(ON) MAX ID MAX balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to

 ..2. Size:207K  inchange semiconductor
 fcp067n65s3.pdf pdf_icon

FCP067N65S3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FCP067N65S3 FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages UPS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие MOSFET... 30N50 , 80N06 , AM30N10 , AOD2144 , BUK437-500B , BUK637-500B , CSD30N30 , FCH067N65S3 , 5N60 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF , IPA032N06N3 .

History: IPB60R280P6 | 2SK1228 | P120NF10 | 30N06G-TA3-T | 2SK3705 | FCP099N65S3 | AGM405F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.