FMP60N280S2HF Todos los transistores

 

FMP60N280S2HF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMP60N280S2HF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO220

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FMP60N280S2HF datasheet

 3.1. Size:207K  inchange semiconductor
 fmp60n280s2.pdf pdf_icon

FMP60N280S2HF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FMP60N280S2HF FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages LCD & PDP TV Power supply Switching applications ABSOLUTE MA

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