FMP60N280S2HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FMP60N280S2HF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de FMP60N280S2HF MOSFET
FMP60N280S2HF Datasheet (PDF)
fmp60n280s2.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FMP60N280S2HFFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stagesLCD & PDP TVPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MA
Otros transistores... FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , IRFB31N20D , IPA032N06N3 , IPA041N04N , IPA057N06N3 , IPA093N06N3 , IPA60R120C7 , IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE .
History: PPMUT20V3 | 2N60G-T60-K | IPW50R280CE | 2N60G-T6C-K | KTK920BU | PHW7N60
History: PPMUT20V3 | 2N60G-T60-K | IPW50R280CE | 2N60G-T6C-K | KTK920BU | PHW7N60



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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