FMP60N280S2HF - описание и поиск аналогов

 

FMP60N280S2HF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMP60N280S2HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FMP60N280S2HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMP60N280S2HF даташит

 3.1. Size:207K  inchange semiconductor
 fmp60n280s2.pdf pdf_icon

FMP60N280S2HF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FMP60N280S2HF FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages LCD & PDP TV Power supply Switching applications ABSOLUTE MA

Другие MOSFET... FCH067N65S3 , FCP067N65S3 , FCP099N65S3 , FCP190N65S3 , FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , IRF2807 , IPA032N06N3 , IPA041N04N , IPA057N06N3 , IPA093N06N3 , IPA60R120C7 , IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE .

History: HY4306W | AFN4172WSS8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.