IPA093N06N3 Todos los transistores

 

IPA093N06N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPA093N06N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm

Encapsulados: TO220F

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IPA093N06N3 datasheet

 ..1. Size:545K  infineon
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IPA093N06N3

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 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
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IPA093N06N3

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPA093N06N3 FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:499K  infineon
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IPA093N06N3

Type IPA093N06N3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 9.3 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 43 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to J

Otros transistores... FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF , IPA032N06N3 , IPA041N04N , IPA057N06N3 , 8N60 , IPA60R120C7 , IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE , IPA60R280CFD7 , IPA60R280P7 , IPA60R600P7 , IPA65R1K0CE .

History: ZXMN6A25KTC | SW2N60D

 

 

 

 

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