IPA093N06N3 Todos los transistores

 

IPA093N06N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPA093N06N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IPA093N06N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  infineon
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IPA093N06N3

pe # ! ! #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa093n06n3.pdf pdf_icon

IPA093N06N3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA093N06N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:499K  infineon
 ipa093n06n3g.pdf pdf_icon

IPA093N06N3

Type IPA093N06N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 9.3 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 43 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to J

Otros transistores... FCP290N80 , FCPF125N65S3 , FCPF400N80ZCN , FDD9407 , FMP60N280S2HF , IPA032N06N3 , IPA041N04N , IPA057N06N3 , K2611 , IPA60R120C7 , IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE , IPA60R280CFD7 , IPA60R280P7 , IPA60R600P7 , IPA65R1K0CE .

History: AOW29S50 | SVS70R360FE3 | PJE8400 | UPA1792G

 

 
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