Справочник MOSFET. IPA093N06N3

 

IPA093N06N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPA093N06N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPA093N06N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  infineon
 ipa093n06n3 rev20.pdf pdf_icon

IPA093N06N3

pe # ! ! #:A03 B53 m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC 4 DQ H35>5?B=1

 ..2. Size:201K  inchange semiconductor
 ipa093n06n3.pdf pdf_icon

IPA093N06N3

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPA093N06N3FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 0.1. Size:499K  infineon
 ipa093n06n3g.pdf pdf_icon

IPA093N06N3

Type IPA093N06N3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 9.3 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 43 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to J

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PHW8ND50E | HGB110N10SL | IPD50R280CE | FQT4N20L | PA502FMG | NDT6N70 | TMPF5N60Z

 

 
Back to Top

 


 
.