IPAN50R500CE Todos los transistores

 

IPAN50R500CE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPAN50R500CE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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IPAN50R500CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  infineon
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IPAN50R500CE

IPAN50R500CEMOSFETPG-TO 220 FP500V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting

 ..2. Size:202K  inchange semiconductor
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IPAN50R500CE

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPAN50R500CEFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPC Silverbox, Adapt

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History: NCE65N330R | PMN230ENEA | AOB414

 

 
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