Справочник MOSFET. IPAN50R500CE

 

IPAN50R500CE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPAN50R500CE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IPAN50R500CE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPAN50R500CE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  infineon
 ipan50r500ce.pdf pdf_icon

IPAN50R500CE

IPAN50R500CEMOSFETPG-TO 220 FP500V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting

 ..2. Size:202K  inchange semiconductor
 ipan50r500ce.pdf pdf_icon

IPAN50R500CE

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPAN50R500CEFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSPFC stages, hard switching PWM stages and resonant switchingPC Silverbox, Adapt

Другие MOSFET... IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE , IPA60R280CFD7 , IPA60R280P7 , IPA60R600P7 , IPA65R1K0CE , IPA65R400CE , IRF1405 , IPAN60R800CE , IPB073N15N5 , IPB090N06N3 , IPB156N22NFD , IPB60R280P6 , IPD30N03S2L , IPP60R060P7 , IPP60R070CFD7 .

 

 
Back to Top

 


 
.