IPAN50R500CE - описание и поиск аналогов

 

IPAN50R500CE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPAN50R500CE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IPAN50R500CE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPAN50R500CE даташит

 ..1. Size:744K  infineon
 ipan50r500ce.pdf pdf_icon

IPAN50R500CE

IPAN50R500CE MOSFET PG-TO 220 FP 500V CoolMOS CE Power Transistor CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in Consumer and Lighting markets by still meeting

 ..2. Size:202K  inchange semiconductor
 ipan50r500ce.pdf pdf_icon

IPAN50R500CE

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPAN50R500CE FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Very high commutation ruggedness Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PC Silverbox, Adapt

Другие MOSFET... IPA60R170CFD7 , IPA60R1K0CE , IPA60R1K5CE , IPA60R280CFD7 , IPA60R280P7 , IPA60R600P7 , IPA65R1K0CE , IPA65R400CE , IRF830 , IPAN60R800CE , IPB073N15N5 , IPB090N06N3 , IPB156N22NFD , IPB60R280P6 , IPD30N03S2L , IPP60R060P7 , IPP60R070CFD7 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.