MDE1932 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDE1932
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 209 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1540 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Encapsulados: TO263
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MDE1932 datasheet
mde1932.pdf
MDE1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChip s MV MOSFET V = 80V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON) fast switching performance, and excellent quality.
mde1932.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor MDE1932 FEATURES With TO-263( D2PAK ) packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM
mde1991rh.pdf
MDE1991 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChip s MV MOSFET V = 100V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON) fast switching performance, and excellent quality.
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History: 2SK2614 | SFW082N165C3
History: 2SK2614 | SFW082N165C3
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