MDE1932 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDE1932
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 209 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 116 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDE1932

MDE1932 Datasheet (PDF)

..1. Size:1009K magnachip
mde1932.pdf

MDE1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChips MV MOSFET V = 80V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON)fast switching performance, and excellent quality.

..2. Size:204K inchange semiconductor
mde1932.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDE1932FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

9.1. Size:973K 1
mde1991rh.pdf

MDE1991 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChips MV MOSFET V = 100V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON)fast switching performance, and excellent quality.

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: