MDE1932 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDE1932
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 209 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 116 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 1540 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0034 Ohm
Тип корпуса: TO263
MDE1932 Datasheet (PDF)
mde1932.pdf
MDE1932 Single N-channel Trench MOSFET 80V, 120A, 3.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChips MV MOSFET V = 80V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON)fast switching performance, and excellent quality.
mde1932.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor MDE1932FEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM
mde1991rh.pdf
MDE1991 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 120A, 4.4m Features General Description The MDE1991 uses advanced MagnaChips MV MOSFET V = 100V DS I = 120A @V = 10V Technology, which provides high performance in on-state resistance, D GS R DS(ON)fast switching performance, and excellent quality.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
