NTB082N65S3F Todos los transistores

 

NTB082N65S3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NTB082N65S3F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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NTB082N65S3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  onsemi
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NTB082N65S3F

NTB082N65S3FPower MOSFET, NChannel,SUPERFET) III, FRFET),650 V, 40 A, 82 mWDescriptionSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highwww.onsemi.comvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advanced technology is tailored to

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
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NTB082N65S3F

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor NTB082N65S3FDESCRIPTIONDrain-source on-resistance: RDS(on) 82m@10VDrain Source Voltage: V = 650V(Min)DSS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Industrial power suppliesUPSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL AR

Otros transistores... MDE1932 , MDP10N055 , MDP1921 , MMD80R900P , MMF60R360QTH , MMF80R450PTH , MMF80R650PTH , MTP2N50 , 7N65 , NTE2393 , NTP082N65S3F , NTPF082N65S3F , SIHA11N80E , SKS10N20 , STP30NF10FP , SUD25N15-52-E3 , SUP70040E .

History: VBZQA80N03 | RU5H18Q

 

 
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