NTB082N65S3F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTB082N65S3F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
Encapsulados: TO263
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NTB082N65S3F datasheet
ntb082n65s3f.pdf
NTB082N65S3F Power MOSFET, N Channel, SUPERFET) III, FRFET), 650 V, 40 A, 82 mW Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high www.onsemi.com voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advanced technology is tailored to
ntb082n65s3f.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor NTB082N65S3F DESCRIPTION Drain-source on-resistance RDS(on) 82m @10V Drain Source Voltage V = 650V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Industrial power supplies UPS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL AR
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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